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第三代半導(dǎo)體將寫入“十四五規(guī)劃”,這些上市公司有涉及
楊潔
A股又來一個(gè)新名詞“第三代半導(dǎo)體”。
9月4日,第三代半導(dǎo)體板塊逆勢(shì)領(lǐng)漲A股各板塊,多家公司上漲5%以上。乾照光電、聚燦光電漲停,臺(tái)基股份漲逾10%,三安光電漲逾8%。
日前,在南京世界半導(dǎo)體大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰(金麒麟分析師)論壇上,國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)委員、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露:國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確,第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向,現(xiàn)在到了動(dòng)議討論實(shí)施方案的階段。
什么是第三代半導(dǎo)體?
據(jù)悉,第一代半導(dǎo)體材料是硅(Si),間接帶隙,窄帶隙;第二代半導(dǎo)體材料是砷化鎵(GaAs),直接帶隙,窄帶隙;第三代半導(dǎo)體材料目前比較成熟的有碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等,寬禁帶,全組分直接帶隙。
來源:方正證券
第三代半導(dǎo)體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性,可以實(shí)現(xiàn)更好電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制,特別是在苛刻條件下備受青睞,在5G、新能源汽車、消費(fèi)電子、新一代顯示、航空航天等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。
今年年初,小米發(fā)布65W氮化鎵快充,其風(fēng)頭甚至蓋過了小米10手機(jī)主角的風(fēng)頭,第三代半導(dǎo)體也由此一度成為網(wǎng)紅。
更重要的是,第三代半導(dǎo)體切中新基建的種種需求。5G建設(shè)進(jìn)一步加速了氮化鎵射頻器件的應(yīng)用,據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù),氮化鎵射頻器件已經(jīng)成為5G時(shí)代較大基站功率放大器的候選技術(shù)。
幾臺(tái)車一起快速充電需要達(dá)到幾百千瓦的功率,一個(gè)電動(dòng)汽車充電站更是要達(dá)到百萬瓦的功率,傳統(tǒng)的硅基功率器件體積較大,但碳化硅模塊則可以實(shí)現(xiàn)以很小的體積滿足功率上的嚴(yán)苛要求。
安芯基金首席戰(zhàn)略官周貞宏表示,第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵都處于產(chǎn)業(yè)即將爆發(fā)階段,相當(dāng)于70年代的硅的狀態(tài)。中國(guó)有巨大的市場(chǎng)大規(guī)模投入,在第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)(創(chuàng)新方法)、工藝處理(提高利用率和成品率)、設(shè)計(jì)應(yīng)用(結(jié)構(gòu)性能成本)、封裝測(cè)試(材料工藝散熱)等環(huán)節(jié)都存在巨大機(jī)會(huì)。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于昆山表示,2020年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵窗口期。以5G、新能源汽車、能源互聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)類電子、新一代顯示、紫外等應(yīng)用市場(chǎng)啟動(dòng)為契機(jī),已經(jīng)完成布局并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)和地區(qū)將首先收獲成果。而受國(guó)際環(huán)境變化因素影響,正在加緊布局的企業(yè)特別是新組建的企業(yè)和新建產(chǎn)業(yè)園需要重新審視可能存在的風(fēng)險(xiǎn)。
國(guó)內(nèi)廠商積極布局
根據(jù)申港證券統(tǒng)計(jì),僅2020年一季度國(guó)內(nèi)就有多個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目有新的進(jìn)展。2020 年 3 月,中國(guó)電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、積塔6英寸碳化硅生產(chǎn)線兩個(gè)項(xiàng)目開始投產(chǎn)。一季度,和通訊(徐州)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地、綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項(xiàng)目以及博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目三個(gè)項(xiàng)目開工;泰科天潤(rùn)運(yùn)營(yíng)總部及碳化硅器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目、高啟電子氮化鎵外延片項(xiàng)目等多個(gè)項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)簽約。
隨著第三代半導(dǎo)體應(yīng)用需求攀升,國(guó)際巨頭近年來也通過并購(gòu)以及擴(kuò)產(chǎn)來鞏固自身優(yōu)勢(shì)。據(jù)CASA Research不完全統(tǒng)計(jì),2019年國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域共有包括英飛凌、羅姆、意法半導(dǎo)體等企業(yè)通過并購(gòu)?fù)七M(jìn)其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局,材料、器件及模組標(biāo)的均有涉及,整體涉及金額超過100億美元。
2019年,還有6家國(guó)際巨頭提出多項(xiàng)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃項(xiàng)目,碳化硅的擴(kuò)產(chǎn)占到八九成,其中最大的項(xiàng)目是科銳兩次宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,投資近10億美元,滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的8英寸功率和射頻晶圓制造工廠。
于昆山介紹,我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在加速推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,碳化硅襯底4英寸導(dǎo)電和半絕緣襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,4英寸半絕緣碳化硅襯底批量商用;6英寸導(dǎo)電襯底小批量供貨,8英寸襯底已研制出。用于電力電子器件的硅基氮化鎵外延基本實(shí)現(xiàn)6英寸產(chǎn)業(yè)化和8英寸材料的樣品研發(fā),4英寸樣品實(shí)現(xiàn)綜合指標(biāo)達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平,2-3英寸襯底小批量產(chǎn)業(yè)化。
不過,于昆山也坦承,產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)所需原材料仍然對(duì)國(guó)外依賴性較高,如襯底材料方面,出于國(guó)內(nèi)外技術(shù)指標(biāo)、性價(jià)比對(duì)比考慮,對(duì)科銳、住友等的依賴仍然較高。
周貞宏介紹,高速發(fā)展的碳化硅材料市場(chǎng)由4家國(guó)際巨頭壟斷,國(guó)產(chǎn)碳化硅基材僅占全球市場(chǎng)的2.2%,擴(kuò)產(chǎn)能需要時(shí)間同時(shí)需要投入巨資購(gòu)買設(shè)備,當(dāng)務(wù)之急如能把有限的晶體更有效地利用起來快速滿足客戶需求,將創(chuàng)造巨大價(jià)值。
來源:方正證券
據(jù)CSA產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告介紹,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)包括:山東天岳、天科合達(dá)、世紀(jì)金光、揚(yáng)杰科技、泰科天潤(rùn)、三安集成等。國(guó)內(nèi)氮化鎵供應(yīng)鏈企業(yè)包括:華功半導(dǎo)體,三安光電,華燦光電等。國(guó)內(nèi)碳化硅基氮化鎵供應(yīng)鏈企業(yè)包括:英諾賽科、華為海思、士蘭微、海威華芯等。
第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)業(yè)鏈分布圖
來源:方正證券
責(zé)任編輯:陳志杰